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國內(nèi)U盤廠商的閃存技術(shù)競爭升級
據(jù)來自深圳市賽格等幾個大的電子市場U盤供應(yīng)商反映出的信息，U盤市場進(jìn)入到2008年下半年后，U盤廠商的角力重點(diǎn)已放到了讀寫速度逾20MB/S和數(shù)據(jù)安全上了。
業(yè)內(nèi)人士指出，看讀寫速度可以立即分辨出一款U盤是哪一年生產(chǎn)的。比如讀寫速度在20MB/S以上，就是采用了最新的多通道U盤控制技術(shù)，這一技術(shù)是在2007年下半年才出現(xiàn)，產(chǎn)品正式上市應(yīng)該是2008年初。目前，2008年新上市的產(chǎn)品中，達(dá)到這一讀寫速度的只有有限的幾個一線U盤大品牌。
對于讀寫速度不是很看重的用戶，可以考慮購買讀寫速度在6MB/S～10MB/S的U盤，這類U盤控制芯片問世于2006年之后，目前在市面上還是大量存在的。對于容量2G以下的U盤來說，這一速度基本上是可以滿足需求了。
目前，市面的產(chǎn)品中，大多數(shù)U盤廠商采用一種動靜態(tài)負(fù)載平衡技術(shù)的U盤，以提高數(shù)據(jù)安全性。它的原理是用戶往U盤存入數(shù)據(jù)的時候，U盤可以平均閃存內(nèi)部各數(shù)據(jù)塊的擦寫次數(shù)，如果發(fā)現(xiàn)A數(shù)據(jù)塊已經(jīng)寫入了100次，而B數(shù)據(jù)塊只使用了30次，那么再有數(shù)據(jù)存入的使用，U盤的控制芯片就會優(yōu)先安排存放在B數(shù)據(jù)塊上，從而避免了閃存芯片局部老化現(xiàn)象發(fā)生mdash;mdash;沒有了局部老化，U盤就不可能過早出現(xiàn)壞塊，數(shù)據(jù)就更不容易丟失。
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