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韓國批準三星在華設(shè)閃存芯片工廠,2012年的芯片市場格局將改變
昨日(1月4日),三星電子公司擬在中國大陸投資建閃存芯片廠的計劃,正式獲得韓國知識經(jīng)濟部批準。
韓國知識經(jīng)濟部在聲明中稱,三星公司擬在中國建的閃存芯片工廠投產(chǎn)后,每月生產(chǎn)10萬塊晶圓片,聲明中沒有提及投資規(guī)模,也沒有透露擬建新工廠的具體選址。
三星中國相關(guān)負責人向 《每日經(jīng)濟新聞》記者表示,由于尚未收到總公司通告,因此暫時無法公布方案細節(jié)。
該計劃仍需獲得中國商務(wù)部門的審批,方能開工建設(shè)。
投資超過35億美元
2011年12月3日,三星電子曾發(fā)布公告稱,該公司計劃使用20納米級以下的技術(shù),為三星產(chǎn)品生產(chǎn)Nand閃存芯片,并向增長迅速的中國手機制造商供貨,力爭在明年開工建設(shè),并于2013年正式投產(chǎn)。禮品U盤定做
有分析師估計,在華設(shè)廠的總投資將介于35億美元至50億美元之間。目前,三星尚未透露該工廠的具體建設(shè)地點。一位不愿具名的業(yè)內(nèi)分析人士向《每日經(jīng)濟新聞》記者指出,目前最有可能成功中標的城市是北京和蘇州。
據(jù)了解,閃存芯片是一種移動存儲產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于音樂播放器、智能手機和平板電腦中。三星公司計劃在中國生產(chǎn)的Nand型閃存芯片,將主要用于固態(tài)硬盤和大容量數(shù)碼存儲卡。因擔心技術(shù)轉(zhuǎn)讓問題,該公司過去一直未在韓國和美國以外地區(qū)建立高科技的生產(chǎn)廠。事實上,為了防范技術(shù)機密泄露,韓國知識經(jīng)濟部要求三星公司加強對技術(shù)資料的控制。U盤定做
對國內(nèi)企業(yè)未必是好事
目前,中國生產(chǎn)全球96%的平板電腦和37%以上的智能手機,因此這些產(chǎn)品的核心零配件——內(nèi)存芯片的使用量也在年年劇增。
由正益通電子禮品U盤廠家提供
據(jù)市場調(diào)查公司Gartner的數(shù)據(jù),今年全球閃存芯片市場有望突破290億美元,而今年中國的芯片使用量達到全球產(chǎn)量的30%,成為世界最大的芯片消費國,預(yù)計今年這一市場的規(guī)模將達290億美元。
iSuppli分析師顧文君向 《每日經(jīng)濟新聞》記者表示,三星將芯片廠址選在中國,主要基于以下三個原因:首先,中國是該類產(chǎn)品目前最大的消耗市場,發(fā)展前景廣闊;其次,閃存芯片是一種標準產(chǎn)品,選址靠近終端廠商將為生產(chǎn)提供便利;同時,此類產(chǎn)品的生產(chǎn)對基礎(chǔ)設(shè)施、政策和產(chǎn)業(yè)環(huán)境要求較高,在國內(nèi)設(shè)廠,選址城市將會為三星提供部分政策支持。
據(jù)了解,目前全球市場上主流的智能手機芯片廠商有:高通、德州儀器、三星、英偉達等;國產(chǎn)則有MTK,主要應(yīng)用于中低端市場。
“事實上,三星將芯片廠設(shè)在中國,對國內(nèi)企業(yè)來說,未必是件好事。目前三星的閃存芯片約占國內(nèi)30%的市場份額,直接在中國生產(chǎn)產(chǎn)品必然會降低其生產(chǎn)成本,并鞏固其在中國市場的霸主地位,行業(yè)集中度會繼續(xù)加強,這樣的話,國內(nèi)企業(yè)的議價能力也會有所減弱。”顧文君說。
此前,臺積電董事長張忠謀說過,三星是個可怕的公司、可畏的對手。華碩董事長施崇棠也稱,三星擅長“模仿別人,再把對方宰掉。”
目前主板上的BIOS大多使用Flash Memory制造,翻譯成中文就是"閃動的存儲器",通常把它稱作"快閃存儲器",簡稱"閃存"。 閃存盤是一種移動存儲產(chǎn)品,可用于存儲任何格式數(shù)據(jù)文件便于隨身攜帶,是個人的“數(shù)據(jù)移動中心”。 閃存盤采用閃存存儲介質(zhì)(Flash Memory)和通用串行總線(USB)接口,具有輕巧精致、使用方便、便于攜帶、容量較大、安全可靠、時尚潮流等特征,是大家理想的便攜存儲工具.
內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit,用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁(Page)(可以看到,NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū),硬盤的一個扇區(qū)也為512字節(jié))。每一頁的有效容量是512字節(jié)的倍數(shù)。所謂的有效容量是指用于數(shù)據(jù)存儲的部分,實際上還要加上16字節(jié)的校驗信息,因此我們可以在閃存廠商的技術(shù)資料當中看到“(512+16)Byte”的表示方式。目前2Gb以下容量的NAND型閃存絕大多數(shù)是(512+16)字節(jié)的頁面容量,2Gb以上容量的NAND型閃存則將頁容量擴大到(2048+64)字節(jié)。
制造工藝可以影響晶體管的密度,也對一些操作的時間有影響。譬如前面提到的寫穩(wěn)定和讀穩(wěn)定時間,它們在我們的計算當中占去了時間的重要部分,尤其是寫入時。如果能夠降低這些時間,就可以進一步提高性能。90nm的制造工藝能夠改進性能嗎?答案恐怕是否!目前的實際情況是,隨著存儲密度的提高,需要的讀、寫穩(wěn)定時間是呈現(xiàn)上升趨勢的。前面的計算所舉的例子中就體現(xiàn)了這種趨勢,否則4Gb芯片的性能提升更加明顯。 以上資訊由深圳U盤工廠、禮品U盤、正益通電子U盤生產(chǎn)廠家提供
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